鎳釩合金靶材，在集成電路制作中一般用純金做表面導電層，但金與硅晶園容易生成AuSi低熔點化合物，導致金與硅界面粘接不牢固，人們提出了在金和硅晶圓的表面增加一粘接層，常用純鎳做粘接層，但鎳層和金導電層之間也會形成擴散，因此需要再有一阻擋層，來防止金導電層和鎳粘接層之間的擴散。阻擋層需要采用熔點高的金屬，還要承受較大的電流密度，高純金屬釩能滿足該要求。所以在集成電路制作中會用到鎳濺射靶材、釩濺射靶材、金濺射靶材等。鎳釩濺射靶材是在制備鎳釩合金靶材過程中，在鎳熔體中加入釩，使制備出的合金更有利于磁控濺射，結合了鎳濺射靶材和釩濺射靶材的優點，可一次完成濺射鎳層（粘接層）和釩層（阻擋層）。鎳釩合金無磁性，有利于磁控濺射，在電子及信息產業中，正在逐步替代純鎳濺射靶材。下圖是鎳釩 (93/7wt%) 合金濺射靶材的顯微金相檢測圖片,平均粒徑<100μm。             

 
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        我們生產高純度的鎳釩濺射靶材,它最大的好處是在物理氣相沉積的過程中，能獲得具有優異的導電率和顆粒最小化的薄膜。下面的表格是3N5的高純鈷鎳釩(93/7wt%) 合金濺射靶的成分分析證明書。此外，我司還可生產各種鎳合金靶材，如鎳鋁，鎳鈷，鎳銅，鎳釩，鎳鎢，鎳鉻硅等合金靶材，并可按照您對靶材成分，尺寸，晶粒度的不同要求來生產。如有任何產品需求，請與我們聯系。采用的分析方法有:1.使用ICP-OES 對金屬元素進行分析；2.使用LECO 進行氣體元素分析。